芯片描述
芯片特点
○ | 8 位CPU | ○ |
2.4V~3.6V 工作电压范围 -40~85℃ 工作温度范围 |
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内部高精度RC(可校准)、低功耗RC,不同工作模式选择 运行模式1:<550μA@RC 4MHz @CPU 4MHz 运行模式2:<400μA@RC 4MHz @CPU 2MHz 休眠模式:2μA |
○ | 6k Words OTP(One Time Programmable)程序存储器,256 Byte数据存储器 | |
○ | 掉电检测及WDT,可防止CPU 进入死循环 | ○ |
高解析度ΣΔADC模数转换器: 零输入电压,零输出电压;高输入阻抗(内置输入缓冲器);内置绝对温度检测器 |
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○ | 1.2V 内部类比电路共地电压源 | ○ | LVD 低电压检测功能,14 段检测电压设置与外部输入电压检测功能 | |
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可程序化多功能网络 电压/电阻/电容换挡测量,定电压/定电流输出,元件可自我校正,元件正负极性判别 |
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4×14 LCD液晶驱动器 Static、1/2、1/3、1/4 Duty 及1/3 Bias 内置Charge Pump 稳压线路,可提供4 种LCD 偏压 |
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○ | 17 个IO 端口 | ○ | 8-bit Timer A:8-bit Timer C 具有PWM/PFM 波形产生功能 | |
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多功能比较器 具有迟滞与Latch 功能,可降低glitch;可程序化设定比较电压;可作为短路测试,频率测量或电容充放电频率测量 |
○ | 模拟电压源VDDA 可选择4 种输出电压,具有10mA 稳压电压源输出能力 | |
UART 模组 | 支持6 级堆栈 | |||
支持BIE 功能,结合烧录子程序,可以省去外部EEPROM芯片 | 内置1.111MΩ、101KΩ、10KΩ、1KΩ 比例电阻,可分别选择启用内置或外置 | |||
封装形式:LQFP64封装、软封 |
芯片框图